Almacenamiento
(Capacidad de la unidad de almacenamiento)
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8 TB |
Tamaño del disco duro
(Tamaño físico del disco duro en pulgadas)
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M.2 80mm |
Conexiones
(Conexiones)
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M.2 |
TIPO DE DISCO DURO
(Tipo de disco)
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Internos |
TECNOLOGÍA DE DISCO DURO
(Tecnología del Disco)
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SSD |
Características del Disco Duro Interno Sólido SSD Samsung MZ-VAP8T0BW 9100 PRO SSD 8TB
El
Samsung 9100 PRO SSD de 8 TB está diseñado para usuarios que necesitan un almacenamiento interno de alto rendimiento, especialmente en
equipos avanzados, estaciones de trabajo o configuraciones orientadas a tareas exigentes. Gracias a su interfaz
PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0, ofrece
velocidades muy elevadas para carga de archivos, transferencia de datos y trabajo intensivo.
Rendimiento extremo con PCIe 5.0
Este SSD aprovecha la tecnología
PCIe Gen 5.0 x4 para alcanzar velocidades secuenciales de hasta
14.800 MB/s en lectura y
13.400 MB/s en
escritura, ofreciendo una respuesta rápida en cargas pesadas, proyectos grandes y uso profesional.
- Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s
- Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s
- Interfaz PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0
Alta capacidad para archivos y proyectos exigentes
Con una capacidad de
8 TB, este disco SSD permite almacenar grandes volúmenes de datos, juegos, aplicaciones, proyectos creativos y archivos
profesionales sin depender constantemente de unidades externas.
- Capacidad total: 8 TB
- Formato M.2 2280
- Diseñado para almacenamiento interno de alto rendimiento
Respuesta rápida en lectura y escritura aleatoria
Su rendimiento en operaciones aleatorias permite una experiencia más fluida al trabajar con múltiples archivos, aplicaciones exigentes o procesos
simultáneos. Alcanza hasta
2.200.000 IOPS en lectura aleatoria y hasta
2.600.000 IOPS en escritura aleatoria.
- Lectura aleatoria 4KB QD32: hasta 2.200.000 IOPS
- Escritura aleatoria 4KB QD32: hasta 2.600.000 IOPS
- Optimizado para tareas intensivas y acceso rápido a datos
Memoria Samsung V-NAND TLC y caché dedicada
El SSD integra memoria
Samsung V-NAND TLC junto con una caché
Samsung 8 GB DDR4X SDRAM, una combinación pensada para mantener un
rendimiento estable en transferencias y cargas de trabajo avanzadas.
- Tipo de memoria: Samsung V-NAND TLC
- Memoria caché: Samsung 8 GB DDR4X SDRAM
- Formato compacto M.2 para equipos compatibles
Seguridad, resistencia y diseño compacto
Para proteger los datos, incorpora
encriptación AES 256-bit compatible con Class 0, TCG/Opal e IEEE1667. Además, ofrece una resistencia a golpes
de
1500G y un diseño ligero de solo
9,5 g.
- Encriptación AES 256-bit Encryption
- Compatible con Class 0, TCG/Opal e IEEE1667
- Resistencia a los golpes: 1500G
- Dimensiones: 80,15 x 22.15 x 3,88 mm
- Peso: 9,5 g